接下来两天,苏白几乎没有出过废品站的门。
十片硅圆片整齐的排在工作台上,每一片都经过了他用蒸馏水和无水酒精的反复清洗。
第一步,涂光刻胶。
苏白用自制的旋涂装置,也就是那台离心机换了个低档,把光刻胶均匀甩在硅片表面。
转一千二百转,持续三十秒。
取下来的硅片表面覆盖了一层薄薄的淡黄色胶膜,厚度约两微米。
然后是预烘。
苏白把涂好胶的硅片放在铁板上,下面用酒精灯加热。
温度控制在九十度,烘两分钟,让胶膜里的溶剂挥干净。
佟舒帮他计时,手里攥着那只从废品堆里淘出来的老式怀表。
“两分钟到了。”
苏白用镊子把硅片取下来,放在避光盒里冷却。
十片硅片,十次涂胶,十次预烘。
流水线作业,两人配合的十分默契。
第二步,曝光。
这一步必须在暗室环境下完成。
苏白把废品站的窗户用黑布蒙的严严实实,只留一盏红色安全灯。
他从避光盒里取出那张修改好的光刻掩膜,那张没有自毁后门的版本。
掩膜覆盖在涂好胶的硅片上方,对准位置。
苏白用的对准方法很简单:硅片边缘有一个他预先刻好的定位缺口,掩膜上有对应的十字标记。
两个标记重合,就意味着对准完成。
破绽之眼辅助微调,精度控制在一微米以内。
然后开灯。
那盏从轧钢厂暗房里搬回来的高压汞灯出强烈的紫外线。
曝光十五秒。
关灯。
紫外线透过掩膜上的透明图案区域,照射在光刻胶上。
被照到的部分生化学反应,变的溶于显影液。
没被照到的部分保持不变,继续保护下方的硅片。
这就是光刻的基本原理。
简单,但每一步的精度要求都很高。
第三步,显影。
苏白把曝光后的硅片浸入碳酸钠溶液中,轻轻晃动三十秒。
被紫外线照射过的胶膜溶解脱落,露出下方裸露的硅表面。
没被照射的部分留在原位,形成保护图案。
取出硅片,用蒸馏水冲洗,在红色安全灯下观察。
硅片表面出现了清晰的微缩电路图案。
线条锐利,边缘齐整,没有毛刺,没有断线。
苏白嘴角微翘了一下。
佟舒凑过来看,倒吸了一口凉气。
“这就是芯片的电路?”
苏白点头。